1 / 20

الباب الثانى الترانزستور

الباب الثانى الترانزستور. الترانزستور عنصر يمكن بواسطته القيام بعملية التكبيرويعمل عمل مقاومة التحويل من مقاومه منخفضه الى مقاومه عاليه. انواعه. ترانزستور ثنائى القطب bipolar junction-trans. ترانزستور احادى القطب uni-polar transistor. مميزاته. استهلاك قدره صغير. بساطة تركيب الدوائر.

meriel
Télécharger la présentation

الباب الثانى الترانزستور

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. الباب الثانى الترانزستور الترانزستور عنصر يمكن بواسطته القيام بعملية التكبيرويعمل عمل مقاومة التحويل من مقاومه منخفضه الى مقاومه عاليه انواعه ترانزستور ثنائى القطب bipolar junction-trans ترانزستور احادى القطب uni-polar transistor

  2. مميزاته استهلاك قدره صغير بساطة تركيب الدوائر رخص الثمن صغر الحجم

  3. اولا: الترانزستورثنائى القطب(B-J-T):- تركيبه: عبارة عن ثلاث بللورات البلورتان اللتان على الاطراف متشابهة وتكون عكس التى فى المنتصف E B C N P N E B C اقطابه N P P مشعEMITTR مجمع collector قاعدة BASE

  4. انواع الترانزستورثنائى القطب C C B B E E n-p-n p-n-p

  5. طرق توصيل الترانزستور فى الدائره مجمع مشترك قاعده مشتركه مشع مشترك

  6. اولا: القاعده المشتركه IC I E V I / P O / P R L t V CC VB القاعده مشتركه بين الدخل و الخرج

  7. ثانيا:مشع مشترك:- IC V R L V O / P IB I /P V CC VB t t المشع مشترك بين الدخل والخرج الخرج يختلف عن الدخل بزاوية 180درجه

  8. ثالثا: مجمع مشترك:- IE V RL V IB I/ P O / P t VCC VB t المجمع مشترك بين الدخل و الخرج

  9. خصائص الترانزستور تعبير يستخدم لتحديد المعاملات و القيم الكهربيه للترانزستور وتكون فى شكل منحنيات او جداول انواعها خصائص استاتيكيه خصائص ديناميكيه خصائص التحويل خصائص الدخل خصائص الخرج

  10. الخصائص الاستاتيكيه RC IC A C VCC V Ib Rb A Vbb B E V IE دائره عمليه للحصول على خصائص الترانزستور ذو المشع المشترك(P-N-P)

  11. خصائص الدخل زياده كبيره للتيار IB 1 IB=F(VBE) جهد الوصله VCE=CONST 1 VBE 0 0.7 2 2 زياده صغيره فى الجهد زياده صغيره للتيار زياده كبيره للجهد

  12. خصائص الخرج IC C B A VCE

  13. IC=F(VCE) خصائص الخرج IB=CONST القسمAيزداد IC زيادة كبيرة عند حدوث زيادة صغيره فى VCEالتى تكون حوالى 0.2 فولت وتسمى منطقة التشبع الزيادة فى الجهد vceتقابلها زيادة صغيره فى التيار icوتسمى النطقه الخطية(الفعاله) القسمB ترتفع قيمة Icارتفاع كبير عند حدوث زياده صغيره فى VCEويسبب ذلك كسر الوصله(p-n)وهى منطقة قطع ويجب تجنب العمل فى هذه المنطقه القسم c

  14. خصائص التحويل IC IC=F(IB) Vce=const VCE=CONST IB

  15. تيار التسرب تعريفه هو تيار صغير جدا ينشا فى الوصله الثنائيه المنحازة عكسيا وينتج من مرور حاملات الشحنه الاقليه

  16. عيوبه(اضراره) يتضاعف كلما زادت درجة الحراره عشر درجات مئويه يزيد من تيار المجمع مما يترتب زياده كبيره لتيار المجمع اضافة المسربات الحراريه الى الترانزستور علاجه

  17. استخدامات الترانزستور مفتاح الكترونى مكبر

  18. اولا : مكبر الاشاره هى كميه كهربيه تحتوى على المعلوماتاو البيانات المراد نقلها فى التطبيق العملى يحل الترانزستور محلRV الشكل الاساسى لدائرة التكبير R مصدر الطاقه اشارةالدخل اشارة الخرج RV

  19. ثانيا : مفتاح الكترونى صفات المفتاح الالكترونى عندما يكون مفتوحا تكون الدائره مغلقهOFF ولا ينساب تيار وظهر الجهد بلكامل على طرفيه عندما يكون مغلق تكون الدائره مفتوحهoNوينساب تيار وفرق الجهد على طرفيه يساوى صفر

  20. الدائرة الاساسيه لمفتاح الترانزستور فى حالة توصيل النقطه 1يكون جهد القاعدة يساوى صفر ويكون المفتاح مفتوح ولا يمر تيار فى حالة توصيل النقطه2 يوجدتيار فى القاعدة ويكون المفتاح مغلق ويمر تيار RL 9v 2 RB vo 1

More Related