Band Engineering in MQWs with GQWs for Enhanced LED Performance
This study explores the impact of band engineering through five pairs of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) with quantum dots (GQWs) and conventional quantum wells (QWs) in p-GaN structures with 200 nm thickness and a doping concentration of 6 x 10^17 cm^-3. The epitaxial layers were grown on a sapphire substrate of 300 μm x 300 μm size, featuring n-GaN layers with a doping level of 1 x 10^19 cm^-3. Results include detailed HR-XRD analyses, comparing conventional LEDs to GQW LEDs with varying indium compositions.
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