1 / 20

n=p=n i

Semiconductori intrinseci. n=p=n i. Dependenta exponentiala domina dependenta in T 3/2. Semiconductori extrinseci. Doparea. Impurificare controlata - dopare. Dopanti din grupa a V-a , cu 5 electroni de valenta: As, P, Bi, Sb. Donori de electroni.

taima
Télécharger la présentation

n=p=n i

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Semiconductori intrinseci n=p=ni Dependenta exponentiala domina dependenta in T3/2

  2. Semiconductori extrinseci. Doparea Impurificare controlata - dopare Dopanti din grupa a V-a , cu 5 electroni de valenta: As, P, Bi, Sb Donori de electroni Creaza electroni liberi suplimentari (care nu au goluri ca perechi)

  3. Dopanti din grupa a III-a, cu 3 electroni de valenta : B, In, Ga Acceptori de electroni – creaza goluri suplimentare (care nu au electroni ca perechi)

  4. La temperatura camerei toti atomii donori sunt ionizati. n>>ni n=ND Dar n.p=ni2 Deci p=ni2/ND Exemplu Si, ni de ordinul 1010/cm3 Dopat cu 1015/cm3 are n= 1015/cm3 p=105/cm3 Situatie similara in cazul doparii de tip p. Concentratia de goluri este egala cu aceea a atomilor acceptori. Concentratia electronilor (deveniti minoritari) este mult mai mica.

  5. Jonctiunea p-n Electroni majoritari Goluri minoritare Goluri majoritare Electroni minoritari golurile + + + Difuzie: electronii - - -

  6. Cimpul electric aparut se opune difuziei !!!

  7. NA ND Regiune golita de sarcini (depletion region) – fara purtatori liberi Curenti la echilibru difuzie + + + golurile cimp (drift) Toti curentii sunt egali ! + + + difuzie electronii - - - cimp (drift) - - -

  8. + + + difuzie golurile cimp (drift) + + + - - - difuzie electronii cimp (drift) - - - Curent electric

  9. difuzie, curent nul + + + golurile cimp (drift) + + + difuzie, curent nul electronii - - - cimp (drift) - - - Curent electric

  10. VT=kT/e La Ge, m=1 La Si, m=1 la curenti medii si mari, si m=2 la cuernti mici Ge, IS de ordinul microamperilor

  11. La fiecare crestere a tensiunii cu 18 mV curentul se dubleaza. La fiecare crestere a tensiunii cu 60 mV curentul creste de 10 ori.

  12. Aplicatii ale diodelor Redresarea Redresarea monoalternanta

  13. Diode redresoare de 1A

  14. I U Modelarea diodei Liniarizarea pe portiuni a caracteristicii Dioda ideala: fie circuit inrerupt, fie scurtcircuit In conductie, pe dioda cade tensiunea VF.

  15. Redresarea dubla alternanta

  16. Filtrarea tensiunii redresate

More Related