1 / 44

Giunzione MS

Giunzione MS. Problema: Il contatto M-S è sempre presente in un circuito. Come si comporta ?. Giunzione MS (n doping). E vac. Walter Schottky (1886-1976). e  m =workfunction metallo e  s =workfunction semiconduttore e  s =affinit à elettronica semiconduttore.

bandele
Télécharger la présentation

Giunzione MS

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Giunzione MS Problema: Il contatto M-S è sempre presente in un circuito. Come si comporta ? Dispositivi a semiconduttore

  2. Giunzione MS (n doping) Evac Walter Schottky (1886-1976) em=workfunction metallo es=workfunction semiconduttore es=affinità elettronica semiconduttore Dispositivi a semiconduttore

  3. Dispositivi a semiconduttore

  4. Giunzione MS : caso n Electron Affinity Model (EAM) m>S e(s-s) Dispositivi a semiconduttore

  5. Al momento del contatto Dopo il contatto Dispositivi a semiconduttore

  6. Giunzione MS Dispositivi a semiconduttore

  7. VA=potenziale esterno applicato Dispositivi a semiconduttore

  8. Capacità Spettroscopia C-V Dispositivi a semiconduttore

  9. Se ND=cost 1/C2 cresce linearmente con V Intercetta per 1/C2 a zero dà VBI Dispositivi a semiconduttore

  10. Calcolo barriera potenziale Dispositivi a semiconduttore

  11. Vari metalli Dispositivi a semiconduttore

  12. Capacità variabile Varactor Dispositivi a semiconduttore

  13. Caso p m<S Dispositivi a semiconduttore

  14. Indice di superficie S Dispositivi a semiconduttore

  15. Superficie Dispositivi a semiconduttore

  16. Stati di superficie Bulk state Surface state Dispositivi a semiconduttore

  17. Superficie Dispositivi a semiconduttore

  18. Stati di superficie e band bending Dispositivi a semiconduttore

  19. Stati di superficie e band bending Dispositivi a semiconduttore

  20. Nel realizzare la barriera conta anche la superficie Dispositivi a semiconduttore

  21. Limiti validità EAM: Effetti di superficie: Fermi-Level Pinning (III-As, III-P) . Il livello di Fermi alla superficie è ad energia fissata a prescindere dal metallo con cui realizzo il diodo Dispositivi a semiconduttore

  22. Giunzione MS : caso n con bias Dispositivi a semiconduttore

  23. Corrente di maggioritari: Emissione termoionica 2) Tunneling: conta per barriere sottili ad alti drogaggi Per emissione di campo si intende il tunneling di elettroni vicini al livello di Fermi Per doping ≤1017cm-3 @300K conta emissione termoionica Dispositivi a semiconduttore

  24. Corrente termoionica Dispositivi a semiconduttore

  25. Corrente termoionica Dispositivi a semiconduttore

  26. Calcolo emissione termoionica A*=Costante di Richardson 120m*/m0 A/(Kcm)2 Dispositivi a semiconduttore

  27. J=JS-M-JM-S=JS(exp(qV/kBT)-1) JS: corrente di saturazione, cresce con T Caratteristica diodo Schottky ideale Dispositivi a semiconduttore

  28. Caratteristiche generali: • Tensione ginocchio inferiore • Maggiore corrente di perdita Dispositivi a semiconduttore

  29. Effetto Schottky: Riduzione potenziale contatto dovuto ad effetto cariche immagine Effetto trascurabile per contatti con semiconduttori con costante dielettrica ≈10 Gli elettroni nel semiconduttore “ vedono” una superficie metallica equipotenziale. Un elettrone -e nel punto x del SC_ Una carica immagine +e nel punto -x Dipende dal bias Aumento emissione termoionica Dispositivi a semiconduttore

  30. Dispositivi a semiconduttore

  31. Caratteristiche generali: • Tensione ginocchio inferiore • Maggiore corrente di perdita Dispositivi a semiconduttore

  32. Dispositivi a semiconduttore

  33. Cat whisker radio Contatto meccanico metallo-semiconduttore (galena PbS): nella radio azione rettificatrice Dispositivi a semiconduttore

  34. Contatto ohmico: Resistenza contatto “ piccola” Per la corrente termoionica Piccole barriere Dispositivi a semiconduttore

  35. Dispositivi a semiconduttore

  36. Dispositivi a semiconduttore

  37. Contatto Ohmico Dispositivi a semiconduttore

  38. Contatti Ohmici OK se cresce doping: W diminuisce: tunneling Dispositivi a semiconduttore

  39. Contatti Ohmici: deposizione eutettica Nella lega per formare il contatto c’è un elemento drogante per il SC Una miscela eutettica (dal greco eu = buono, facile; tettico = da fondere) è una miscela di sostanze il cui punto di fusione è più basso di quello delle singole sostanze che la compongono (da cui il nome "facile da fondere"). Dispositivi a semiconduttore

  40. Contatti Ohmici Dispositivi a semiconduttore

  41. Con alto doping piccola regione svuotamento e tunneling Dispositivi a semiconduttore

  42. Dispositivi a semiconduttore

  43. Dispositivi a semiconduttore

  44. Dispositivi a semiconduttore

More Related