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晶體管 The Transistor

晶體管 The Transistor. ATS 電子部製作. E. B. C. 結構. 符號. 偏壓. 小結 : 1 … 2 … 3. 三種基本接法. 比較. 晶體管的構造是這樣的 , 它由三層 半導體 組成 :. 射極 emitter E. 基極 base B. 集極 collector C. 這三層半導體一定是 N-P 型相間的 , 可以是 NPN, 也可以是 PNP:. 射極 emitter E. 基極 base B. 集極 collector C.

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Presentation Transcript

  1. 晶體管 The Transistor ATS電子部製作

  2. E B C 結構 符號 偏壓 小結: 1… 2… 3... 三種基本接法 比較

  3. 晶體管的構造是這樣的, 它由三層半導體組成: 射極emitter E 基極base B 集極collector C

  4. 這三層半導體一定是N-P型相間的, 可以是NPN, 也可以是PNP: 射極emitter E 基極base B 集極collector C N P N N P N N P N P N P P N P P N P N P N 往後的討論, 如果沒有特別聲明, 我們都是以NPN晶體管為準

  5. 晶體管的符號: NPN型: PNP型: 集極 C 集極 C 基極 B 基極 B 射極 E 射極 E

  6. 把電源接到晶體管的兩端, 不管是正負方向是怎樣, 電流也不能通過 o 射極emitter E 基極base B 集極collector C N P N

  7. 但是, 如果先把基極和射極以正向偏壓接駁, 就會有電流 (IB) 通過 B-E 極 o 射極emitter E 基極base B 集極collector C N P N IB

  8. 這時, 集極和基極間再接上一反向偏壓, 電流 (IC) 就會由 C 極穿過 B 極直通 E 極 射極emitter E 基極base B 集極collector C N P N IC IE IB

  9. 集極電流 IC 比基極電流 IB大很多,而射極電流 IE則等於 IC + IB 射極emitter E 基極base B 集極collector C N P N IC IE IB

  10. 射極 E 集極 C IE IC 基極 B IB 小結: 1. C-E 要導通, 先要使 B-E導通 o 2. IC >> IB 3. IE = IC + IB

  11. 晶體管有兩個主要用途:開關和放大o 開關就是利用上述“C-E 要導通, 先要使 B-E導通”這一特性o 放大比較複雜, 輸入一個(電流或電壓)較小的訊號, 而輸出一個較大的訊號o 放大器 輸出 輸入 共用(接地)

  12. 1.共基極(C.B.) : 輸出 輸入 共用 由於輸入和輸出訊號各需兩端, 其中一端共用, 剛好可以利用晶體管的三端o 於是一個晶體管放大器有三種基本接法:

  13. 2.共射極(C.E.) : 輸出 輸入 共用 由於輸入和輸出訊號各需兩端, 其中一端共用, 剛好可以利用晶體管的三端o 於是一個晶體管放大器有三種基本接法:

  14. 3.共集極(C.C.) : 輸入 輸出 共用 由於輸入和輸出訊號各需兩端, 其中一端共用, 剛好可以利用晶體管的三端o 於是一個晶體管放大器有三種基本接法:

  15. 1.共基極2.共射極3.共集極 共用 B EC 輸入E BB 輸出 C CE

  16. 1.共基極2.共射極3.共集極 電流增益 <1高高 電壓增益 高更高 <1 輸入阻抗 低(30  100)高(800  5)更高(5k500k) 輸出阻抗 很高(105106) 高(10k50k) 低(50  1k)

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