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Confidential. 免责声明. 如下材料为本公司拥有的机密文件，尽管本公司以审慎的态度确认这些材料传递信息的准确性，但是，这种审慎的态度并不构成任何本公司对该些材料准确性的保证。这些材料按“现状”提供，只能作参考之用。本公司对任何第三方基于该使用材料而造成的损害概不承担任何责任。这些材料未经本公司事先书面许可，不得复制，不得对外发布。. 2. 目录. I. 中国智能电网产业政策与发展现状. II. 智能电网为半导体业带来新机遇. III. 华虹 NEC 和宏力全方位的代工解决方案. IV. 华虹 NEC 和宏力发展策略及增值服务. 3. 目录.

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  1. Confidential

  2. 免责声明 如下材料为本公司拥有的机密文件，尽管本公司以审慎的态度确认这些材料传递信息的准确性，但是，这种审慎的态度并不构成任何本公司对该些材料准确性的保证。这些材料按“现状”提供，只能作参考之用。本公司对任何第三方基于该使用材料而造成的损害概不承担任何责任。这些材料未经本公司事先书面许可，不得复制，不得对外发布。 2

  3. 目录 I 中国智能电网产业政策与发展现状 II 智能电网为半导体业带来新机遇 III 华虹NEC和宏力全方位的代工解决方案 IV 华虹NEC和宏力发展策略及增值服务 3

  4. 目录 I 中国智能电网产业政策与发展现状 II 智能电网为半导体业带来新机遇 III 华虹NEC和宏力全方位的代工解决方案 IV 华虹NEC和宏力发展策略及增值服务 4

  5. 走进智能电网 走向低碳生活 Source: US EPRI • 美国在引入智能电网后，预计到2030年，电能需求量可减少2000亿度电 • 这也相当于减少 CO2排放2亿吨，或等同于5000万辆汽车的 CO2排放量 • 在间接节能方面，由于智能电网可实现诸如混合动力汽车、风能等其他新能源电网的接入，可减少温室气体排放 5

  6. 智能电网三步走进程 • 第二阶段(2011~2015年) • 全面建设阶段 • 全面建设智能电网 • 完善技术标准体系 • 关键技术和设备的研制实现重大突破 • 投资预计 2万亿元人民币 • 受益领域： • 特高压设备 • 变电智能化 • 智能电表 • 配电自动化 • 充电站和充电桩 • 第三阶段(2016~2020年) • 引领提升阶段 • 完善智能电网的综合水准 • 推广智能化关键技术和设备 • 提高清洁能源装机比例 • 实现【即插即用】分散式电源 • 投资 1.7万亿元人民币 • 受益领域： • 分散式电源和储能设施 • 智能建筑 • 充电站和充电桩 • 变电智能化 十二五：智能电网全面建设期 • 第一阶段(2009~2010年) • 规划试点阶段 • 制定规划 • 建立系统全面的技术标 准体系 • 研制关键技术设备 • 试点建设示范工程 • 投资规模 4万亿元人民币 • 受益领域： • 特高压设备 • 智能电表 Source：拓墣产业研究所，2011/12 6

  7. 目录 I 中国智能电网产业政策与发展现状 II 智能电网为半导体业带来新机遇 III 华虹NEC和宏力全方位的代工解决方案 IV 华虹NEC和宏力发展策略及增值服务 7

  8. 半导体在智能电网中有诸多机会 电能消费 电能输送 和配发 传统和新能源 新型电力接入 End point： DC/DC, Lighting Power Supply：AC/DC, Power Management Motor Drive： AC/DC/AC 半导体工业将在电能产生、传输和消费中得到最广泛的应用。 8

  9. 可再生能源发电对于并网提出了挑战 • 太阳能光伏成长空间巨大 • “十二五”能源规划提出2015年太阳能发电将达 1500万千瓦，年发电量 200亿千瓦时 • 风能装机容量将成倍增长 • 截至2011年10月份，中国国内并网风电装机容量已达 3913万千瓦 • 十二五规划提出到2015年将达 1亿千瓦，年发电量 1900亿千瓦时 • 新型可再生能源的出现对于能源的接入和管理提出了挑战，需要大量半导体器件来实现： • 逆变器MCU/DSP • IGBT/MOSFET等功率分立器件 9

  10. 长距离输变技术和控制智能化 • HVDC直流输电等技术由于长距离节能、节地、环保等优点，在我国的应用前景广泛 • 集成 HVDC柔性输电技术的IGBT换流器 ，已经在南汇风电场投入运行，并在大连、舟山等地推广。国内试验成功，可提高能效并降低损耗 • IGBT换流器的采用使电力电子真正实现电压全控制，也实现小型化，控制电压低压化，节省复杂而笨重的控制部分，为电网智能化扫清了障碍 10

  11. 电能分配的心脏--智能电表 AMI系统架构 • 智能电网的心脏--智能电表的需求将快速扩张 • 从机械表的替代，到自动抄表（AMR）向高级计量（AMI）的发展，充分显示了可持续性发展 • 到2020年，中国智能电表芯片使用量将达到 24亿颗，市场规模达 3000亿元人民币。其中分为 5类 • MCU:4.4亿颗 • 时钟芯片:4.4亿颗 • 计量芯片:4.4亿颗 • 通信芯片:4.4亿颗 • 安全芯片:7亿颗 Source: 拓墣产业研究所 Source: China EPRI 11

  12. 智能电网通讯 • 电力线载波（PLC）是传统的主流通讯方式 • 无线收发芯片 • Zigbee • GPRS，WLAN，蓝牙 • 融合电力与信息通信，实现共赢局面 • 今年以来，国家密集出台政策鼓励多方参与通信领域的建设和经营，“电力光纤入户”迎来广阔的产业发展空间 • 光通讯 • 光通讯控制芯片 • 高速集成光器件 智慧城市 12

  13. 电能消费和应用--新能源汽车 • 新能源汽车（特别是电动汽车）的推广使用将使能源的消费从化学能转化成电能 • 预计2015年至少有 100万辆电动汽车上路；2020年中国将成为世界最大的新能源汽车市场 (平均每台汽车使用30-40颗 MCU芯片) • 智能电网使能源消费更加高效化和集中化，有效推动新能源汽车发展 • 与传统汽车相比，新能源汽车将消耗更多的半导体芯片： • MCU(嵌入式闪存微控制器) • 电源管理 (PM IC) • 精密模拟芯片 • Power MOSFET / IGBT • CMOS图像传感器 • MEMS传感器 • …… Source: www.car-emissions.com 13

  14. 目录 I 中国智能电网产业政策与发展现状 II 智能电网为半导体业带来新机遇 III 华虹NEC和宏力全方位的代工解决方案 IV 华虹NEC和宏力发展策略及增值服务 14

  15. IGBT在各个领域地位愈发重要 Current Power Train Motor Control HEV/EV Smart grid Solar Inverter Auto Ignition Welding Machine UPS Wind Power DSC Strobe Flash White Goods Induction Cooker 600V 1200V …… 6500V Voltage 1700V • 用电环节：IGBT 器件使电能转化效率大大提高 • 目前全球IGBT制造技术开始迈入8寸时代，甚至已经开始12寸生产线的研究； • 超过8家工厂（IDM）开始使用8寸生产线生产IGBT； • 华虹NEC是国内第一个提供IGBT技术的 8英寸晶圆代工厂: • 1200V NPT技术已经进入量产； • 1700V NPT技术即将进入量产； • 600V~ 6500V的field stop IGBT技术正在开发中 ，其中 6500V IGBT技术已达到 7100V的阻断电压 • 发电和输电:IGBT 器件作用持续增加 • 逐渐取代 SCR 和 GTO • 新能源:可再生能源并网的关键

  16. 智能电表芯片解决方案 已集成嵌入式闪存存储器 Source: China EPRI, TRI • 到2020年， 我国智能电表芯片使用量将达 24亿颗， 平均每年2.4亿颗 • 华虹NEC与宏力的模拟工艺技术和嵌入式闪存技术非常适合以上各种类型的芯片 16

  17. 高精度模拟工艺及发展 0.13um 0.18um CZ6H+S CZ6S 0.13um 高性能模拟CMOS CZ6H+ 0.18um 高效低成本CMOS • 基于CZ6H的shrink FEOL0.5um BEOL0.35um • 模拟系列工艺平台符合高精度模拟设计需要，从 0.5um延伸到 0.18um • 10多年成熟量产，高可靠性 • 丰富的高精度模拟IP选择 • 同时提供业内领先的OTP/MTP，便于产品线延伸 • 在智能电表计量、控制和时钟控制产品方面保持高占有率 17

  18. 0.18微米嵌入式闪存技术优势 A-180-ESF1 • 低功耗工艺平台与超低漏电工艺平台，可大幅度降低静态电流损耗，从而降低待机功耗 • 行业内面积最小的嵌入式闪存IP为各类MCU微处理器芯片提供最优化解决方案，芯片总面积相比 其他公司方案节省20%~30% 18

  19. 0.13微米嵌入式SONOS闪存和EE 0.13um SRAM leakage：Only 0.1pA/Bit cell EEPROM Cell Size Comparison Table • 0.13um SONOS技术是高度可缩小化的技术，可以延展到0.05微米甚至更远。相比传统浮栅（Floating Gate)闪存单元结构，有以下优点： • SONOS工艺简单，制造成本低，具有与标准 CMOS工艺高度兼容性 • 更高的可靠性：一百万次擦写能力，30年数据保存能力 • 更低静态功耗 • 实现 Flash和EEPROM的完美兼容 • 更小的IP面积等 • 目前智能电网中的主要芯片都已在该工艺上量产，其中部分产品占据整个市场份额的 50%以上 19

  20. 高端MCU平台 丰富和可靠的自有和第三方IP（如USB1.1， USB2.0 high Speed)降低客户设计时间，提高客户成功率 ADC/Comparator/USB Transceiver VCC GND VCC GND IO Cells VCC GND Oscillator Pad/ RC Oscillator E-Flash/EEPROM Memory Voltage Regulator/PMU VCC GND 丰富和可靠的0.18um和0.13um的嵌入式 Flash和真正的EEPROM，适合高端高可靠的应用 VDD MCU Core/SRAM/ROM/ Core Logic 已取得 ARM Cortex-M0 授权，方便客户使用ARM内核，切入高端市场 Anti-Noise VCC GND VCC GND Voltage Detector VDD GND POR/BOR 20

  21. 面向光网络的芯片解决方案 • 电力光纤入户推动光通讯的发展，需要大量的光通讯芯片（EPON/GPON/TIA/ LA/ LD） • 由于电网的特殊工作环境，需要干扰少，稳定性高的芯片； • 华虹NEC和宏力可以提供SiGe BiCMOS（HBT Ft: 120~150GHz）和 0.18-0.11um的RF CMOS可以分别用于开发高速和低速，满足电网特别应用的芯片； • 华虹NEC还是国内第一家0.18um及以下的SiGe BiCMOS 工艺生产线 21

  22. 新能源汽车用半导体解决方案 • IGBT,功率 MOSFET, MCU, 电池管理 IC, 马达控制 IC是新能源汽车的核心部件 22

  23. 目录 I 中国智能电网产业政策与发展现状 II 智能电网为半导体业带来新机遇 III 华虹NEC和宏力全方位的代工解决方案 IV 华虹NEC和宏力发展策略及增值服务 23

  24. 概况 Grace Fabs HHNEC Fab1 HHNEC Fab2 • 大陆最大8英寸代工厂 • 3条8英寸生产线，月产能 14万片 8英寸硅片 • 3,800名员工 • 34亿美元投资总额 • 全球前五大纯半导体代工厂 Shanghai HQ Japan Office US Office Taiwan Office 公司总部位于中国上海 在台湾、日本、北美和欧洲等地均提供销售与技术支持 24

  25. 公司愿景 华虹之芯 造福世界 在差异化技术领域，致力于成为 领先的、可信赖的晶圆代工合作伙伴 成为您可信赖的 专注于差异化技术的晶圆代工伙伴 Confidential 25

  26. 特色工艺代工技术平台 手机功放 无绳电话 GPS WLAN 光通信 蓝牙… 智能卡 安全 电子票 ETC 通用MCU 触摸控制器… 手机 室内照明 电机驱动 智能电表 数码相机/数码摄像机 音频功放… 开关电源 计算机主板 基站 白色家电电机… 手机 液晶电视 平板电脑 家电 计算机… 1um BCD 700V 0.35/0.18um BCD 40V 0.35/0.13um CDMOS 40V 20-200V Power MOSFET 600V HV MOSFET 600-700V SJNFET 1200V IGBT 0.25/0.18/0.13um eFlash 0.35/0.18/0.13um eEEPROM 0.35/0.18um eOTP/MTP 0.18um Logic/MS 0.15um Logic/MS 0.13um Logic/MS 0.115 um Logic/MS 0.25/0.18um RFCMOS 0.35/0.18/0.13um SiGe BiCMOS 0.13um SOI RFCMOS IPD 功率分立 器件 Power Discrete Device 射频 RF SiGe BiCMOS 模拟/ 电源管理IC Analog & Power Management IC 逻辑/ 数模混合 Logic/ Mix-Signal 嵌入式 非挥发性存储器 Embedded Non-Volatile Memory Confidential 26

  27. 领先的嵌入式存储器代工厂 • 领先的嵌入式存储器代工解决方案提供商 • 全球最大的智能卡技术方案提供商，涵盖电信卡、U-key、社保卡、银行卡以及众多安全芯片。2011年15亿张SIM卡出货量，占全球 30%市场份额；生产的移动支付芯片国内第一个通过银行检测中心检测；大部分智能卡芯片在国内均超过了50%以上市场份额 • 世界最大的触控芯片制造商, 超过20万片出货量；全球第一个提供NVM+高压的工艺技术，是最佳的超高信噪比触控解决方案 • 超低成本OTP方案提供业界最高性价比的MCU方案 • 与ARM的战略合作，提供低功耗32位MCU的完整解决方案 • 超过40万片0.13um和接近80万片0.18um NVM的wafer的出货，产品性能在全球各种气候、各种温度下得到严格验证 27

  28. 一站式模拟/功率IC技术提供商 • 全球主要的模拟/电源管理IC技术代工厂 • 久经验证的精密模拟系列工艺，从工艺线宽从0.5um直到0.13um，使用电压从8V 到3.3V，都有大量产品的实例证明（例如高精度计量IC的产品在2011年智能电表市场超过50%的市场份额；） • 全系列的BCD/CDMOS工艺提供商,涵盖从1um到0.13um, 1.8V到700V，适合中到高电压的模拟设计，特别是电源管理IC：如LED室内照明、LED背光和业界主流的DC-DC产品，专为能效6设计的电源IC；还有集成MCU的高级智能电池保护IC、智能家居控制SOC等高端产品 • 累计出货超过30万片BCD工艺和40万片精密模拟工艺 28

  29. 全球最大的功率器件代工厂 • 全球第一个8英寸功率器件代工厂 • 全球最大的功率器件代工厂， 累计出货三百万片8英寸晶圆 • 全球第一个提供Super Junction VDMOS工艺的代工厂，提供专利的独特技术 • 国内第一个提供IGBT技术的8英寸代工厂，1200V IGBT进入量产 • 正在开发1700V~6500V IGBT，其中后者已经达到7100V的阻断电压 • 十年众多复杂类型产品的开发和生产经验极大地提高客户成功率，并有效地降低客户产品投放市场时间， 29

  30. 最完整的逻辑/数模混合技术 • 后段全铝的标准逻辑、混合信号与射频技术 • 提供从0.18微米至90纳米的标准逻辑及混合信号铝制程工艺，涵盖8英寸晶圆代工厂支持的所有先进工艺节点 • 提供微缩版的工艺制程，如从0.18微米缩小至0.162微米或0.153微米、从0.13微米缩小至0.115微米，从而降低芯片生产成本 • 射频技术平台与标准逻辑及混合信号工艺完全兼容，专门应用于无线通信兼容产品，该平台附带嵌入式非易失性存储器可选项，能够使设计人员最大限度地提高芯片性能和降低芯片尺寸，提高芯片集成度 30

  31. 丰富的射频技术 • 高性价比RF CMOS+专利SiGe BiCMOS • 丰富的射频工艺技术，包括RF CMOS，SiGe BiCMOS, RF LDMOS以及SOI • 超过10万片的稳定出货的RF CMOS具有高性价比 • 创新的SiGe HBT结构降低了客户成本，并提高了性能 • SIGe方面超过200个专利和15个以上美国专利 • 丰富的射频组合根据客户需要提供定制服务，以杰出的性能和连续不断的技术开发，灵活地支持客户设计 31

  32. 增值服务 工艺平台选择 设计服务 增值服务 掩膜版制作 代工业务 制造 硅片测试 减薄 / 划片 封装 /测试 Confidential 32

  33. 总结 • 十二五期间，智能电网凭借着投资规模最大、产业发展基础最好、政策扶持力度大，成为物联网十大应用中的翘楚 • 建设智能电网需要大量终端设备来支撑，这将为集成电路产业的发展带来一个极大的推动力 • 大陆第二大代工厂，也是最大的8寸代工厂，专注于特色代工领域，提供最先进的技术和服务 • 华虹NEC和宏力以差异化、全方位的代工解决方案为智能电网的发展贡献力量 33

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