SlideServe
Menu
Préférences
© SlideServe · v2026

MOSFET

kieran-bradshaw avatar
17 diapositives · 1.1K Views · Nov 20, 2014

MOSFET. 一、 MOSFET 的種類 1.N 通道 空乏型與增強型 MOSFET 2.P 通道 空乏型與增強型 MOSFET. N 通道空乏型及增強型 MOSFET. 空乏型 : 汲極 D 及源極 S 之間以通道連接 增強型 : 汲極 D 及源極 S 之間沒有通道. 於低摻雜量的 P 型基體內擴散成兩 個高雜量之 區域,分別當作源、 汲極。 上層覆蓋二氧化矽(  )層。 閘極未加偏壓時,本身已有通道。. (1) 結構 (2) 符號. 中間的垂直線代表通道。 P 型基體:箭頭朝內。 N 型通道:源極的箭頭朝外。 其符號是模仿 NPN 。.

MOSFET - slide 1
01 / 17MOSFET
1 / 17

Télécharger la présentation

MOSFET
Une image / un lien ci-dessous est fourni (tel quel) pour télécharger la présentation

Politique de téléchargement : le contenu du site vous est fourni TEL QUEL pour votre information et votre usage personnel ; il ne peut être vendu, concédé sous licence ni partagé sur d’autres sites sans l’accord de son auteur.Le contenu vous est fourni TEL QUEL, pour votre information et votre usage personnel uniquement. Téléchargez la présentation en cliquant sur ce lien. Lors du téléchargement, si vous ne parvenez pas à télécharger une présentation, l’éditeur a peut-être supprimé le fichier de son serveur.Pendant le téléchargement, si vous ne parvenez pas à obtenir une présentation, le fichier a peut-être été supprimé par l’éditeur.

F I N

Plus de contenu associé

Transcription de la présentation
  1. MOSFET 一、MOSFET的種類 1.N通道空乏型與增強型MOSFET 2.P通道空乏型與增強型MOSFET

  2. N通道空乏型及增強型MOSFET 空乏型:汲極D及源極S之間以通道連接 增強型:汲極D及源極S之間沒有通道

  3. 於低摻雜量的P型基體內擴散成兩 個高雜量之 區域,分別當作源、 汲極。 上層覆蓋二氧化矽(  )層。 閘極未加偏壓時,本身已有通道。 (1) 結構 (2) 符號 中間的垂直線代表通道。 P型基體:箭頭朝內。 N型通道:源極的箭頭朝外。 其符號是模仿NPN。 N通道空乏型MOSFET

  4. N通道空乏型MOSFET • ,適當的加入  電壓,則產生 •  有效的電流(此與JFET相同)。 • ,通道感應正電荷,並減少通 •  道多數載子,使得汲極電流減少(空 •  乏模式)。 • ,通道感應負電荷,並增加通 •  道的載子,使得汲極電流增加(增強 • 模式)。 (1) 操作情形

  5. N通道增強型MOSFET的結構與符號 增強型MOSFET的結構與空乏型 MOSFET非常類似。 汲、源極間沒有實質的通道。 (1) 結構 P型基體(箭頭朝內)、 N型通 道(源極箭頭朝外)。 中間的垂直虛線表示無通道存在。 (2) 符號

  6. N通道增強型MOSFET (1) 基本動作原理 當   時,MOSFET處於截止狀態。 當 時,在閘極下方形成一個空乏區。 當   ( 稱為臨界電壓)時,電子就 被引進入這一空乏區,汲、源極間有了N 型通道,產生電流。 操作情形

  7. P通道空乏型及增強型MOSFET

  8. P通道空乏型MOSFET的結構與符號 (1) 結構:N型基體為製造MOSFET元件的基礎層 ,整個元件是製作在一塊基體上的。 (2)符號 N型基體:箭頭朝外。 P型通道:源極的箭頭朝內。 其符號是模仿PNP。

  9. P通道增強型MOSFET的結構與符號 與空乏型MOSFET類似。 汲、源極間沒有實質的通道。 (1) 結構 N型基體(箭頭朝外)、 P型通道 (源極箭頭朝內)。 中間的垂直虛線表示無通道存在。 (2) 符號

  10. N、P通道增強型MOSFET工作原理 N通道: 利用感應少數載體形成的通到,增加汲極的電流量 P通道: 以P+區為汲極及源極,以電洞為電荷載子,除了vGS、vDS及臨界電壓Vt 為負外,元件的操作方式與N通道相同,電流iD是由源極流向汲極

  11. 二、工作原理 1. 電路符號 2.MOSFET特性曲線 3.MOSFET工作特性曲線 4.MOSFET次導通區

  12. 1.

  13. 2.

  14. 3.

  15. 4.