1 / 11

Diagnostick é metody při výrobě Si FV článků optické vlastnosti reflexe po texturizaci

Diagnostick é metody při výrobě Si FV článků optické vlastnosti reflexe po texturizaci index lomu antireflexní vrstvy elektrické vlastnosti vrstvový odpor difundované vrstvy parametry po technologických operacích tlouštka antireflexní vrstvy. Speciální detekční metody

afya
Télécharger la présentation

Diagnostick é metody při výrobě Si FV článků optické vlastnosti reflexe po texturizaci

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Diagnostické metody při výrobě Si FV článků • optické vlastnosti • reflexe po texturizaci • index lomu antireflexní vrstvy • elektrické vlastnosti • vrstvový odpor difundované vrstvy • parametry po technologických operacích • tlouštka antireflexní vrstvy

  2. Speciální detekční metody • doba života minoritních nosičů (délka difúze) • MWPCD (microwave photoconductance decay) • QSSPC (quasi steady state photoconductance) • LBIC (light beam induced current) • dark I-V (temnotní VA charakteristika) • Suns Voc (závislost Vo na I)

  3. Technologie standardních monokrystalických článků nejdůležitější kontrola po texturizaci, difůzi a depozici antireflexe

  4. Texturizace • tvorba pyramid • slabý roztok NaOH nebo KOH a isopropylalkoholu • čistota, teplota, proudění lázně a „aktivita povrchu Si“ • lze provádět bez odleptání defektů po řezání • nevynechává se kvůli kvalitě procesu • odleptání 20-30µm • kontrola celkového pokrytí, homogenity a rovnoměrnosti • tolerance 6-10µm • optický nebo elektronový mikroskop • celková odrazivost - spektrofotometr

  5. Difůze – PN přechod • Si desky v lodičce zasunuty do křemené trubky • teplota 700-950°C (podle požadované koncentrace) • doba 60-90min (podle požadovaného doporu vrstvy) • kontrola 2-8 desek z každé serie – čtyřbodová metoda • nevynechává se kvůli kvalitě procesu • měření koncentračního profilu • ECV (electrochemical c-v measurement)

  6. Depozice antireflexní vrstvy • minimalizace reflexe (optický požadavek) • minimalizace rekombinace (elektronický požadek) • nejčastěji SiNx • plasmatická depozice • LPCVD (low pressure chemical vapour deposition) • tlouštka a index lomu - elipsometrie • pouze na lesklých (netexturovaných) deskách • totální optická reflexe • texturované desky

  7. Doba života nosičů • MWPCD – dohasínající fotovodivost • Pulsní IČ laser (904 nm) • QSSPC – fotovodivost v kvazistacionárním režimu • Foto flash lampa + filtry • Nosiče nejsou v objemu homogenně • Exponenciální profil • V penetrační hloubce – homogenizace • Závislost na elektrických vlastnostech • Závislost na povrchových vlastnostech

More Related