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Experiência 3: Polarização do Transistor Bipolar

Experiência 3: Polarização do Transistor Bipolar. PSI-318 Laboratório de Eletrônica I. Transistor Bipolar de Junção. diagrama físico: npn pnp. . C B E. C B E. p n p. n p n.

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Experiência 3: Polarização do Transistor Bipolar

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Presentation Transcript

  1. Experiência 3: Polarização do Transistor Bipolar PSI-318 Laboratório de Eletrônica I

  2. Transistor Bipolar de Junção diagrama físico: npn pnp  C B E C B E p n p n p n ICD FIED RICD IED ICD FIED RICD IED PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  3. Transistor Bipolar de Junção modelo de Ebers-Moll C B E C B E ICD FIED RICD IED ICD FIED RICD IED PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  4. Equações do Modelo • I = IS(eqVj/kT - 1) • IC = FIES(eVbe/26mV - 1) - ICS(eVbc/26mV - 1) • FIES(eVbe/26mV - 1) • IE = RICS(eVbc/26mV - 1) - IES(eVbe/26mV - 1) •  -IES(eVbe/26mV - 1) • IC FIE IB = -(1 - F)IE • IC F(1 -F)IB =FIB PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  5. modelo p/ JBE diretamente polarizada e JBC reversamente polarizada IB VEB FIB RO IB VBE FIB RO B C E B C E PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  6. Curva IC X VCE (parâmetro:IB) IC IB5 IB4 IB3 IB2 IB1 VCE PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  7. Equacionamento • IC = FIB + ICEO • ICEO = (F + 1)ICBO • F =AC = IC/IB • hFE = DC = IC/IB • hFE = F + ICO/IB  F PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  8. VBC região região de reversa saturação VBE região de região linear corte (direta) Regiões de Operação linear IC saturação corte VCE reversa PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  9. Circuitos de Polarização:IB constante VBC IC IC RB RC RC IB IB RB VCE VCE VCC VCC VBB IE IE VBE VBE VCC = VBE + RBIB IC = FIB IB = (VCC - VBE) / RB IC = (VCC - VCE) / RC PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  10. Reta de Carga p/ Polarização IC IB5 IB4 IB3 =IB pol IB2 IB1 VCE IC pol VCE pol PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  11. Circuitos de Polarização:IE constante VBC IC IC R2 RC RC IB IB RB VCE VCE VCC VCC VBB VBE VBE IE IE R1 RE RE VCC = RCIC + REIE + VCE (RC + RE)IC + VCE VBB = RBIB + REIE + VBE RB IB + REIC + VBE VBB = VCCR2/(R1+R2) RB =R1//R2 PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  12. Transistor • IE = IC + IB • IC / IE = cte =  • IC / IB = cte =  =  / (1 - ) • IE / IB = cte =  + 1 = 1 / (1 - ) • VCE =VCB + VBE (NPN) • VEC =VBC + VEB (PNP) • PC = VCE . IC < PCmax VBC IC IB VCE IE VBE PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

  13. Simulador de Circuitos: PSPICE • http://www.lsi.usp.br/~pee_labs • versão 6.3A PSI-318: Polarização do Transistor Bipolar

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