1. Literatura • Tietze U., Schenk C.: Układy półprzewodnikowe. WNT Warszawa, 1987. • Horowitz P., Hill W.: Sztuka elektroniki. WKŁ, Warszawa, 1997 • Baranowski J., Czajkowski G.: Układy elektroniczne. WNT, Warszawa, 1993 • Górecki P.: Wzmacniacze operacyjne. BTC, Warszawa, 2002 • Nadachowski M., Kulka Z.: Analogowe układy scalone. WKŁ, Warszawa, 1990 • Nadachowski M., Kulka Z.: Zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych. WKŁ, Warszawa, 1999 • Niederliński A.: Mikroprocesory, mikrokomputery, mikrosystemy. WSiP, Warszawa, 1987 • Pieńkoś J., Turczyński J.: Układy scalone TTL w systemach cyfrowych. WKŁ Warszawa, 1980 • Misiurewicz P.: Podstawy techniki mikroprocesorowej. WNT, Warszawa, 1991 • Borkowski A.: Zasilanie urządzeń elektronicznych. WKŁ, Warszawa, 1990. • Rusek M., Pasierbiński J.: Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach. • WNT, Warszawa, 1991

2. Warto zaglądać ! www.imne.pwr.wroc.pl/zpisp laboratoria Regulaminy Podstawy elektroniki Materiały do zajęć Tematy projektów i materiały pomocnicze na zajęcia u dr. A Kałwaka

3. Tranzystor Tranzystory: Służą do wzmacniania lub przełączania sygnałów(czynny element półprzewodnikowy układów elektronicznych) • Bipolarne – przepływ prądu powodowany jest przez dwa rodzaje nośników: elektrony ( - ) i dziury ( + ) • Unipolarne – przepływ prądu powodowany jest przez tylko jeden rodzaj nośników: elektrony ( - ) lub dziury ( + )

4. Tranzystorbipolarny jest czynnym elementem półprzewodnikowym o trzech elektrodach: B - baza, C – kolektor, E - emiter • Tranzystory bipolarne mogą być typu: • n-p-n lub p-n-p • Litery n i p oznaczają rodzaj przewodnictwa: • n większość nośników ładunku stanowią elektrony • p większość nośników ładunku stanowią dziury • Stosowane półprzewodniki: • krzem (Si) • german (Ge) • arsenek galu (GaAs) • inne Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny KONFIGURACJE PRACY TRANZYSTORA WB WE WC POLARYZACJA TRANZYSTORA W zależności od polaryzacji złącz tranzystora można wyróżnić trzy rodzaje (obszary) pracy: • AKTYWNY (NORMALNY) IE = IB + IC VC > VB> VE VC < VB< VE • ODCIĘCIA (ZATKANIE) VC > VE> VB VC < VE< VB 3. NASYCENIA VB > VC> VE VB < VC< VE

6. Tranzystor bipolarny CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA • IB = f(UBE) dla UCE = const. WEJŚCIOWA dla UCE = const. 2. IC = f(IB) dla UCE = const. PRZEJŚCIOWA

7. Tranzystor bipolarny CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA 3. IC = f(UCE) dla IB = const. WYJŚCIOWA UCEsat = 0,2V . . . 1V

8. I2 I1 H U2 Tranzystor bipolarny Parametry tranzystora opisywane są współczynnikami macierzy H U1 = h11 I 1 + h12 U2 I 2 = h21 I 1+ h22 U2 U1 Rezystancja wejściowa tranzystora Współczynnik wzmocnienia prądowego Konduktancja wyjściowa Współczynnik zwrotny oddziaływania napięciowego

9. EC / RC ICQ UCEQ IBQ EB Wzmacniacz WE • Tranzystor – wzmacniacz napięcia uwe=Eg sinωt ; Eg<< EB ; Uwe= Eg ΔIB= ΔUBE / rBE = Eg / rBE ΔIC = βΔIB = β Eg / rBE UCE = EC – Ic RC Uwy = ΔUCE = - ΔIC RC = - Egβ RC / rBE Ku = Uwy / Uwe = Uwy / Eg Ku = - β RC / rBE

10. eg C1 uo RL ui Rg C2 Wzmacniacz WE • Polaryzacja stałym prądem bazy

11. C1 RL uo ui Rg C2 eg Wzmacniacz WE • Polaryzacja dzielnikiem napięcia

12. C1 uo RL ui Rg C2 eg Wzmacniacz WE • Polaryzacja przez sprzężenie prądowe

13. C1 uo RL ui Rg C2 eg CE Wzmacniacz WE

14. Wzmacniacz WC