1 / 11

Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840

Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840. Wpływ warunków chłodzenia na charakterystyki statyczne tranzystora MOS mocy IRF840. Janusz Zarębski, Krzysztof Górecki Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni. Plan prezentacji.

ciara
Télécharger la présentation

Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Influence of Cooling Conditionson DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840 Wpływ warunków chłodzenia na charakterystyki statyczne tranzystora MOS mocy IRF840 Janusz Zarębski, Krzysztof Górecki Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni

  2. Plan prezentacji • Wprowadzenie • Wyniki pomiarów • Podsumowanie

  3. Wprowadzenie • Tranzystory MOS mocy są powszechnie wykorzystywane w analogowych i impulsowych układach elektronicznych • Na właściwości tych elementów w istotny sposób wpływa samonagrzewanie • Samonagrzewanie – wzrost temperatury wnętrza elementu Tj powyżej temperatury otoczenia Ta na skutek zamiany wydzielanej w nim energii na ciepło przy nieidealnych warunkach chłodzenia • W pracy – wyniki pomiarów charakterystyk statycznych tranzystora IRF840 dla różnych warunków jego chłodzenia

  4. Wyniki pomiarów • Badany tranzystor IRF840 firmy International Rectifier • Parametry: UDSmax = 500 V, IDmax = 8 A, Pmax = 125 W • Zmierzono charakterystyki wyjściowe i przejściowe • Rozważano polaryzację normalną i inwersyjną • Pomiary wykonano w warunkach izotermicznych (Tj = Ta) oraz nieizotermicznych (Tj > Ta) dla tranzystora umieszczonego na radiatorze oraz bez radiatora

  5. Wyniki pomiarów (c.d.) • Izotermiczne charakterystyki wyjściowe

  6. Wyniki pomiarów (c.d.) • Nieizotermiczne charakterystyki wyjściowe w zakresie podprogowym

  7. Wyniki pomiarów (c.d.) • Nieizotermiczne charakterystyki wyjściowe tranzystora bez radiatora

  8. Wyniki pomiarów (c.d.) • Nieizotermiczne charakterystyki wyjściowe tranzystora umieszczonego na radiatorze

  9. Wyniki pomiarów (c.d.) • Nieizotermiczne charakterystyki wyjściowe tranzystora przy polaryzacji inwersyjnej

  10. Wyniki pomiarów (c.d.) • Nieizotermiczne charakterystyki przejściowe tranzystora umieszczonego na radiatorze

  11. Podsumowanie • Jak przedstawionych charakterystyk wynika, że: • Charakterystyki izotermiczne i nieizotermicznie badanego tranzystora różnią się zarówno ilościowo, jak i jakościowo • Ujemne nachylenie nieizotermicznych charakterystyk wyjściowych może być przyczyną niestabilności punktu pracy elementu, a nawet może prowadzić do jego uszkodzenia • Przy dużych wartościach prądu drenu na skutek samonagrzewania punkt pracy tego elementu może przejść z zakresu nasycenia do zakresu nienasycenia • A zatem uwzględnienie samonagrzewania przy projektowaniu i analizie układów z tranzystorami mocy MOS jest bardzo ważne

More Related