Enhancing Linearity in CMOS Active Resistors using Complementary Computational Circuits
This paper introduces an innovative technique for improving linearity in CMOS active resistors by employing two complementary functions. The approach aims to reduce silicon area with advantages including reduced complexity, improved frequency response, enhanced linearity, extended input range, and low-voltage operation. The study includes theoretical analyses of key circuit components and simulated results, demonstrating enhanced accuracy and reduced complexity. The proposed technique shows promising results with minimal linearity error and substantial area reduction.
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