1 / 25

Field Effect Transistor (FET)

Field Effect Transistor (FET). By : ALFITH, S.Pd, M.Pd. Perbedaan FET dan BJT. BJT  Bipolar device (dua carrier : elektron dan hole) FET  Unipolar device (satu carrier : elektron / n-channel atau hole / p-channel). Struktur FET. Perbedaan JFET dan MOSFET.

whitney-osborn
Télécharger la présentation

Field Effect Transistor (FET)

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Field Effect Transistor (FET) By : ALFITH, S.Pd, M.Pd

  2. Perbedaan FET dan BJT BJT Bipolar device (dua carrier : elektron dan hole) FET Unipolar device (satu carrier : elektron / n-channel atau hole / p-channel)

  3. Struktur FET

  4. Perbedaan JFET dan MOSFET • Struktur dan karakteristiknya • Lapisan oksidasi pada MOSFET • MOSFET bisa tegangan GS positif

  5. JFET kanal n

  6. Jika G-S tidak diberikan bias (VGS=0) maka deplesi hanya pada sambungan PN saja masih ada celah kanal n maka dengan hanya memberikan D-S tegangan kecil (VDS kecil) maka arus drain (ID) mengalir • Jika VDS dinaikkan terus saat VGS=0, maka VDS= VDG dimana tipe p hole-nya pada G ditarik oleh tegangan negatif sehingga deplesi semakin mengecil kanal membesar akan didapatkan ID konstan. • Jika terus dinaikkan, akan dicapai saluran diapit oleh daerah deplesi pada daerah sekitar Drain, yang nilainya sama dengan bias balik VDG= - VP

  7. Kenaikkan lebih lanjut tidak akan merubah bentuk saluran ID tetap konstan pada nilainya yang dicapai saat VDS= - VP • Jika VGS dinaikkan maka deplesi semakin melebar dan suatu saat didapatkan arus drain sama dengan nol dan saat itulah dikatakan VGS=Vp tegangan pinch off

  8. Kurva karakteristik Drain

  9. Kurva karakteristik Drain Daerah Ohmic/ trioda

  10. Kurva karakteristik Drain Daerah aktif/pinch off/saturasi

  11. Daerah Ohmic/Trioda

  12. Daerah Aktif/ Pinch Off

  13. Kurva Transfer

  14. JFET kanal p

  15. MOSFET depletion mode

  16. Kurva Karakteristik

  17. Daerah Ohmic/Trioda

  18. Daerah Aktif/Pinch Off/Saturasi

  19. Simbol MOSFET depletion mode

  20. MOSFET enhancement mode

  21. Kurva karakteristik

  22. Daerah Ohmic/Trioda

  23. Daerah Aktif/ Pinch Off

  24. Simbol MOSFET enhancement mode

  25. Karakteristik FET • Operasinya tergantung pada aliran pembawa mayoritas saja. • Mudah dibuat dalam bentuk IC dan memerlukan tempat lebih sedikit dalam IC. • Rin tinggi (ratusan M). • Derau lebih rendah dibandingkan transistor bipolar. • Hasil kali penguatan dan lebar band frekuensi lebih kecil. • gm FET < gm transistor bipolar. • Konsumsi daya kecil

More Related